Spannungsbezeichnungen, die man in fast allen Schaltplänen und in Datenblättern findet, und die man mit EDA-Programmen erstellen kann, sind beispielsweise die folgenden: Positive Spannung: VDD, VCC Negative Spannung: VEE Bezugspotential (0V): VSS Sie stammen aus dem angelsächsischen Sprachraum, wie das V für , statt des im Deutschen üblichen U (von ) für die elektrische Spannung, zeigt. Da viele große Halbleiter- und Gerätehersteller aus den USA stammen beziehungsweise stammten, haben diese Bezeichnungen weite Verbreitung gefunden. Die Index-Buchstaben (oft tiefer gestellt oder zumindest in kleinerer Schriftgröße dargestellt) D, S, C, und E entstanden dabei aus den Namen der Terminals (Anschlüsse) eines Transistors, beispielsweise und (MOSFET) und , Emitter (Bipolartransistor). Doppelte Indizes wie CC oder DD stehen in der Regel für die Versorgungsspannungen gegenüber Masse.
Spezifische Bezeichnungen
Die doppelte Indizierung ist in den meisten Fällen eine Pluralbildung, das heißt eine Verallgemeinerung. Es handelt sich also nicht um die Spannung an einem einzelnen bestimmten Pin des Bauteils. So bezeichnet zum Beispiel VCC ursprünglich die Kollektor-Spannungen an mehreren Bauteilen. Absolute Unterscheidungen dieser Spannungsbezeichnungen, zum Beispiel zwischen VCC und VDD, sind seit dem abwechselnden/gleichzeitigen Einsatz von TTL-Logik und CMOS-Logik verwischt worden.
Hier sind einige der gängigsten Bezeichnungen im Überblick:
VB – Spannung an der Basis VBB – Verbindung der Bulks (Wannen) der MOSFETs, meistens −5 V, also nicht die Spannung an den Basis-Pins mehrerer Transistoren! VBAT – Batteriespannung VBE – Spannung zwischen Basis und Emitter bei Bipolartransistoren VC – ist die Spannung am Kollektor (Collector) eines bipolaren Transistors VCC – Pluralbildung: Spannung an den Kollektoren, bei bipolaren ICs positive Versorgungsspannung VCE – Spannung zwischen Kollektor und Emitter bei Bipolartransistoren VCEsat – Spannung zwischen C und E im Sättigungszustand des Transistors VCM – Mittenspannung von integrierten Schaltkreisen bei asymmetrischer Spannungsversorgung Vcore – die Spannungsversorgung für die „wichtigen“ Chips wie CPU oder GPU VD – Spannung am Drain eines FETs VDS – Spannung zwischen Drain und Source bei FETs VDD – positive Versorgungsspannung von MOS-Schaltkreisen (die Stelle, an der viele „Drains“ der NMOS-Logik hängen) VDDQ – die Spannungsversorgung für Ausgangsbuffer eines Speicherchips VE – Spannung am Emitter VEE – Spannung an den Emittern, negative Versorgungsspannung z. B. bei ECL-ICs VG – Spannung am Gate VGS – Spannung zwischen Gate und Source bei FETs VIN – Eingangsspannung VMEM – die Spannungsversorgung für einen Memory Chip/Speicherbaustein, manchmal auch: VDDR, VDIMM oder ähnlich VOUT – Ausgangsspannung VPP – Spannungsdifferenz zwischen positiver und negativer Spitzenspannung (Peak to Peak), aber auch Programmierspannung bei (E)EPROMs und Mikrocontrollern VREF – Referenzspannung VRMS – root mean square, Effektivwert einer Spannung VS – Spannung am Source VSS – negative Versorgungsspannung von MOS-Schaltkreisen, oft identisch mit GND (siehe unten) VTT – Verbindung der Abschlusswiderstände (Terminatoren)
Allgemeine Bezeichnungen
Darüber hinaus gibt es noch allgemeinere Bezeichnungen für positive und negative Versorgungsspannungen, wie z. B.: V+ – positive Versorgungsspannung (sagt nichts über die Spannungshöhe aus!) V++ – positive Versorgungsspannung (sagt nichts über die Spannungshöhe aus!) V− – negative Versorgungsspannung V−− – negative Versorgungsspannung GND – 0 V, 0-Potenzial, Masse, Abkürzung für engl. „Ground“. Gegen dieses Potenzial wird die Spannung oder „Potenzialdifferenz“ gemessen. Das Spannungspotenzial positiver Spannungen ist höher als GND, negative Spannungen haben ein Spannungspotenzial das unterhalb von GND liegt. Umgangssprachlich wird GND oft fälschlicherweise als negative Versorgungsspannung bezeichnet. Ein angelegter (positiver oder negativer) Strom fließt über die GND-Leitung zurück zur Spannungsquelle. CGND – „Chassis-Ground“ – also normalerweise mit dem Gehäuse verbunden SGND – „Signal-Ground“ – oft für negative Spannungslevel in analogen Schaltungsteilen verwendet, z. B. Audio DGND – „Digital-Ground“ – in Verbindung mit digitalen Bausteinen mit analogem Eingang AGND – „Analog-Ground“ – analoge Signale in digitalen Bausteinen haben oft einen separaten Ground
Das Problem bei dieser Namensvergabe ist: Es handelt sich hierbei lediglich immer nur um Namen, keinesfalls um verbindliche Standards oder Normen. Bei der Vergabe solcher Namen im Schaltplandesign sollte man also stets große Sorgfalt walten lassen, und nur dann neue oder zusätzliche Namen einführen, wenn die betreffende Versorgungsspannung tatsächlich physikalisch von anderen in der Schaltung befindlichen Spannungen entkoppelt ist (beispielsweise über eine Drosselspule), und wenn sie an mehreren Bauteilepins Verwendung findet.
Kategorie:Elektrische Spannung
fr:Boîtier de circuit intégré#Broches d'alimentation d'un circuit intégré