Halbleiter-Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs sowie auch Laserdioden und Phototransistoren und -dioden benötigen zur Abdichtung gegenüber Umwelteinflüssen, zur weiteren Verarbeitung, zum elektrischen Anschluss und zur Wärmeableitung ein Gehäuse.

Dieser Artikel erfasst vorwiegend die diskreten Bauelemente, die Gehäuse für integrierte Schaltungen werden dagegen unter Chipgehäuse behandelt.

Grundsätzlich unterscheidet man bedrahtete Bauteile (Durchsteckmontage, kurz THT von engl. Through Hole Technology beziehungsweise THD von engl. Through Hole Device) und Bauteilgehäuse für Oberflächenmontage (kurz SMT von engl. Surface Mounted Technology oder SMD von engl. Surface Mounted Device).

SMDs besitzen Anschlussbeine, die nicht durch die Leiterplatte gesteckt, sondern auf der Oberfläche verlötet werden.

Bedeutung der jeweiligen Abkürzungen mit ihren zugehörigen Bezeichnungen: DO – diode outline TO – transistor outline SIP – single inline package DIP – dual inline package

Normen: JEDEC JEITA Firmeneigene „Normung“

Gehäuse für Durchsteckmontage (THT) Axial-Gehäuse (zwei Anschlüsse) Verwendet für Dioden, DIACs: DO-35, SC-40, SOD-27, DO-204AH (Glas) DO-41 (Plastik; Dioden mit ca. 0,5…2 A) DO-41 von Renesas = Glasgehäuse SOD-57 (Glas; Dioden mit ca. 1 A) DO-15 (1,5…2 A) DO-201AD (Plastik; Dioden mit ca. 3…5 A) DO-201AE (Plastik; häufig für Suppressordioden für Ppp = 1500 W oder Z-Dioden mit Ptot = 5 W) P-6, R-6, P600, DO-204AR (Plastik; Dioden mit ca. 6…8 A) DO-1 (Metallgehäuse mit integr. Kühlrippen) (Semikron)

Runde Metallgehäuse, Anschlüsse an einer Seite Bis in die 1980er Jahre allgemein üblich, seitdem nur noch selten verwendet. Heute übliche Anwendung sind unter anderem Photodioden, pyroelektrische Sensoren, Laserdioden.

mini|150px|TO-18 mini|150px|TO-78 mit 8 Pins mini|150px|TO-3 / TO-204

TO-3, TO-204: zwei Drahtanschlüsse, Metallgehäuse bildet dritten Anschluss. Leistungstransistoren, z. B. 2N3055 TO-5, TO-5AA TO-8 TO-9 TO-18: drei Drahtanschlüsse; Kleinsignaltransistoren, z. B. BC 107-Reihe TO-39: drei Drahtanschlüsse; Kleinleistungstransistoren, z. B. BC 141-Reihe TO-46 H02A = TO-46 mit 2 Drahtanschlüssen (National) H03H = TO-46 mit 3 Drahtanschlüssen (National) H04D = TO-46 mit 4 Drahtanschlüssen (National) TO-66, verkleinertes TO-3: zwei Drahtanschlüsse, Metallgehäuse bildet dritten Anschluss. Leistungstransistoren, z. B. 2N3054 TO-72 = TO-18 mit vier Drahtanschlüssen TO-71 = TO-18 mit sechs Drahtanschlüssen H06C = TO-5 mit 6 Drahtanschlüssen (National) H08C = TO-5 mit 8 Drahtanschlüssen (National) H10C = TO-5 mit 6…10 Drahtanschlüssen (National) TO-77 = TO-39 mit sechs Drahtanschlüssen TO-78 mit sechs oder acht Drahtanschlüssen

Eckige Metallgehäuse (ähnlich TO-220 und TO-247) TO-257 = ähnlich TO-220AB, jedoch Metallgehäuse TO-254 = ähnlich TO-220AB, jedoch Metallgehäuse TO-258 = ähnlich TO-218, jedoch Metallgehäuse TO-259 TO-267 = ähnlich TO-218, jedoch Metallgehäuse

Metallgehäuse mit Gewindebolzen Werden für Dioden, Thyristoren, Transistoren verwendet; der Gewindebolzen dient zugleich als elektrischer Anschluss und zur Montage auf einer Wärmesenke. DO-4 (2-polig) DO-5 (2-polig) DO-8 (2-polig) DO-9 (2-polig) DO-203AA (2-polig; Gewinde M6) DO-203AB (2-polig; Gewinde M8) DO-205AB (2-polig; Gewinde M16) DO-205AC (2-polig; Gewinde M12) SO-32A, SO-32B (2-polig; Gewinde M8) TO-63 (3-polig) TO-114 (3-polig) TO-208AA, TO-48 (3-polig; Gewinde M6) TO-208AB, TO-64 (3-polig; Gewinde M5) TO-208AC, TO-65 (3-polig; Gewinde M8) TO-209, TO-94 (3-polig; Gewinde M12) TO-209, TO-93 (3-polig; Gewinde M16) TO-209AA (3-polig) TO-209AB (3-polig) TO-209AC (3-polig) TO-209AC, TO-118 (3-polig; Gewinde M24) TO-59 (3-polig) TO-60 (3-polig) TO-61 (3-polig) TO-63 (3-polig) TO-65 (3-polig) TO-83 (3-polig) TO-93 (3-polig) TO-94 (3-polig)

Kapselförmige Gehäuse (capsule) oder Puck-Gehäuse TO-200AB (3-polig; D × h = 41,5 × 14 mm) TO-200AC (3-polig; D × h = 58 × 26 mm) TO-200AD (3-polig; D × h = 73 × 26 mm) TO-200AF (3-polig; D × h = 111 × 37 mm)

Metallgehäuse zum Einpressen Einpressdioden und -thyristoren besitzen ein zylindrisches, geriffeltes Gehäuse aus Kupfer mit einem Kragen; sie werden in Kühlkörper eingepresst.

Kunststoffgehäuse mit und ohne Kühlfahne mini|150px|TO-92 / SC-43 mini|TO-92 Varianten: leads on circle/molded/JEDEC TO-92-18R, wide pitch/In Line/molded, straight lead/JEDEC TO-92 mini|150px|TO-226 / SC-51 mini|150px|TO-220AB mini|150px|TO-247AC mini|150px|TO-218 / TOP-3 mini|150px|TO-264 / TO-3PBL / TO-3PL / SOT430 / TO-247-JUMBO / TOP3L

(für Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs): TO-92, SC-43, RD-26, NP (Sanyo) TO-92HS = TO-92 mit Kühlflansch E-Line = ähnlich TO-92 (Zetex) Miniplast = ähnlich TO-92 und E-line (Kombinat Mikroelektronik Erfurt) MINI = ähnlich TO-92 (Toshiba) SST = ähnlich TO-92 (NEC) TO-226, TO-226AA, SC-51, TO-92 Mod, TO-92L, LSTM (Toshiba), MP (Sanyo) = längere Version von TO-92 TO-92S, TO-92M TO98 TO-126, TO-225AA TO-126 vollisoliert TO-251, IPAK, PW-MOLD, PW-MOLD2 (Toshiba), DPAK(L) TO-220 TO-220AB, SOT78 (3 Pins) TO-220AC, SOD59 (2 Pins) TO-220-4 (4 Pins) TO-220-5 (5 Pins) vollisolierte Version von TO-220AB (JEITA: SC-67) TO-220F (Fairchild, Sanken, Fuji Electric) TO-220FP (ST Microelectronics) TO-220 FULLPACK (ON Semiconductor, International Rectifier) SOT186A (Philips, NXP) TO-220ML (Sanyo) TO-220FI(LS) (Sanyo) FTO-220 (Shindengen) SC-67 (Toshiba) TO-220SIS (Toshiba) TO-220F15 (Fuji Electric) MP-45F (NEC) ISOWATT 220AB TO-220NIS TO-220IS TO-220CFM vollisolierte Sonderbauformen von TO-220 ISOPLUS 220LV (IXYS) ITO-220 (Shindengen) SC-87 vollisolierte Version von TO-220AC, SOD100, ISOWATT 220AC TO-220IS-4 (4 Pins) TO-220IS-5 (5 Pins) TO-202-1 = ähnlich TO-220AB TO-202-3 = ähnlich I2PAK TO-262, I2PAK, TO-220FL, LDPAK(L) (Renesas) TO-237 TO-218 (mit 2 oder 3 Pins) TOP-3 (fast gleich mit TO-218, aber nicht zu verwechseln mit TO-3P) TO-3P, TO-3P(N) Achtung: TO-3P von Microsemi = TO-247 mit 2 Pins; TO-3P von Master Instrument Corp. (MiC) = TO-247AC Beim TO-3P-Gehäuse gibt es zwei verschiedene Bauweisen, die sich durch den Abstand der Pins zur Rückseite (1,4 mm oder 2,7 mm) unterscheiden. TO-3PF (vollisoliert), TO-3P(N)IS (Toshiba), TO-3PFM (Renesas) TO-3PF von Fairchild (nicht vergleichbar mit anderen TO-3PF) ISOWATT 218 (ST), TO-3P(H)IS (KEC) TO-247, TO-247AC, SOT429 TO-247FULLPACK, SOT199 Power TO-247, TO-247PLUS: Wie TO-247, nur ohne Befestigungsloch und daher mit größerer Oberfläche zum Kühlkörper und niedrigeren Wärmewiderstand. TO-264, TO-3PBL, TO-3PL, SOT430, TO-247-JUMBO, TOP3L, TO-3P(L) Plus TO-264 und ähnliche: Wie TO-264, nur ohne Befestigungsloch und daher mit größerer Oberfläche zum Kühlkörper und niedrigeren Wärmewiderstand.

Gehäuse zur Flanschbefestigung Verwendet für große Verlustleistungen, seitliche Löcher zur Schraubbefestigung, Löt-, Steck- oder Schraub-Anschlüsse nach oben. Die wärmeableitende Bodenplatte ist isoliert, die Befestigung dient nicht zugleich als elektrischer Anschluss. SOT-227, ISOTOP RD-91, z. B. Triacs der BTA-Serie (STMicroelectronics) Sondergehäuse div. Hersteller (z. B. von Semikron)

Kunststoffgehäuse für Gleichrichter GBU KBU Dual in-line package (DIL, auch DIP) – Pins stehen in 2 Reihen DF-M (Fagor; Form einen 6-pol. DIL-Gehäuses, jedoch mit 4 Pins) Einreihige Pin-Anordnung (SIL von engl. Single in Line) Rastermaß 4 mm (Fagor) Rastermaß 5 mm (Fagor) Runde Gehäuse Durchmesser 9,5 mm (C800-, C1000-, C1500-Typen; für ca. 0,8…1,5 A) (Fagor) Eckige Gehäuse mit zentralem Loch für M5-Schraube 28,6 × 28,6 × 7,6 mm mit THT-Pins (Drähten) oder Flachsteckern (für 10…35 A; Fagor & Semikron)

DIL-Kunststoffgehäuse mit mehr als vier Pins mini|150px|DIL-14

DIL CERDIP (Keramikgehäuse) TO-116 = 14-poliges DIP

Gehäuse für Oberflächenmontage (SMD) Zylinderform, Glas, Anschlüsse = Endkappen: MicroMELF, LS-31 MiniMELF, SOD-80, SOD-80C, LL-34 MELF, DO-213AB, LL-41

Zwei Anschlüsse, Kunststoff: DO-214AC, SMA DO-214AA, SMB DO-214AB, SMC DO-219AD, MicroSMP (Vishay Bezeichnung), PMDE (ROHM Bezeichnung) SOD-123 SOD-323 SOD-523 mini|150px|SOT-23 mini|150px|TO-263 (D2PAK) mit 4 Pins mini|150px|TO-263 (D2PAK) mit 3 Pins Drei bzw. vier Pins: SC-75, SSM (Toshiba) SOT-23, TO-236, SC-59, S-MINI (Toshiba), MPAK (Renesas), CP (Sanyo), Mini3-G1 (Panasonic) SOT23-5 SOT23-6 SOT-89, SC-62, UPAK (Renesas), PW-Mini (Toshiba), MPT3 (Rohm), PCP (Sanyo), Mini3P-F2 (Panasonic) SOT-223 SOT-323, SC-70, USM (Toshiba) TO-252, DPAK, SC-63, DPAK(S) (Renesas) TO-263, D2PAK, SC-83, TO-220SM, LDPAK(S) (Renesas), SMD-220, SOT-404

Vier oder mehr Pins: SO, SOIC, SOP MSOP 2-fach achsensymmetrisches IC-Gehäuse; 0,65 mm Beinabstand (Pitch) (JEDEC Spezifikation MO-187-AA) PSOP 2-fach achsensymmetrisches IC-Gehäuse mit zentralem Masse- / Wärmekontakt; 1,27 mm Pitch (National) SSOP TSSOP LFPAK, SC-100

Gleichrichter MBS (Fagor)

Siehe auch Chip-Bauform

Quellen Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, NXP Semiconductors (früher Philips Semiconductor), STMicroelectronics, Toshiba, International Rectifier, NEC, Renesas Electronics, Semikron, KEC, Sanyo, Schott

Weblinks IC-Gehäuseformen in der Mikrocontroller-Wiki

! Halbleitergehause