Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger. Die Minoritätsladungsträger sind: bei p-Dotierung die Elektronen bei n-Dotierung die Defektelektronen (Löcher). Sie können mittels Oberflächenphotospannung detektiert und quantifiziert werden.
Berechnung der Ladungsträgerdichte + Formelzeichen NA Akzeptorenkonzentration (Dotierung) ND Donatorenkonzentration (Dotierung) NA− ionisierte Akzeptoratome ND+ ionisierte Donatoratome ni Intrinsische Ladungsträgerdichte nn Majoritätsladungsträger (bei n-Dotierung) pn Minoritätsladungsträger (bei n-Dotierung) pp Majoritätsladungsträger (bei p-Dotierung) np Minoritätsladungsträger (bei p-Dotierung) n Dichte der freien Ladungsträger (Elektronen) p Dichte der freien Ladungsträger (Löcher) mn effektive Masse der Elektronen mp effektive Masse der Löcher WG Energie der Bandlücke k Boltzmann-Konstante T absolute Temperatur h Planck-Konstante exp Exponentialfunktion Aus den Gleichungen für die Majoritätsladungsträger-Konzentration bzw. für Einfach-Dotierungen deutlich größer der Eigenleitungsdichte des Halbleiters im p-Gebiet (bei Raumtemperatur)
bzw. im n-Gebiet (bei Raumtemperatur)
ergibt sich im thermodynamischen Gleichgewicht wegen
die Minoritätsladungsträgerkonzentration für das p-Gebiet:
für das n-Gebiet
Siehe auch QSSPC
Einzelnachweise
Kategorie:Festkörperphysik
en:Charge carrier#Majority and minority carriers