duum|Isamu Akasaki Isamu Akasaki (japaansch 赤崎 勇, Akasaki Isamu; * 30. Januar 1929 in de Präfektur Kagoshima; † 1. April 2021 in Nagoya up nippon.com van'n 2. April 2021 (engelsch)) weer en japaansch Wetenschapler, de 1989 eerstmals blau Lüchtdioden, footend up den p-n-Övergang mit dat Halfleitermaterial Galliumnitrid herstellt hett.Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, He kreeg dorför 2011 de vun dat IEEE vergeven Utteknung IEEE Edison Medal.http://www.ieee.org/documents/edison_rl.pdf, IEEE Edison Medal Recipients, IEEE, van' 23. Februar 2011, PDF; 151 kB}} 2014 wurr he gemeensam mit Hiroshi Amano un Shuji Nakamura mit den Nobelpries för Physik uttekent.
Leven un Wark Isamu Akasaki studeer tonächst bit 1952 Elektrotechnik an de Universität Kyōto, dornah kreeg he den Doktertitel an de Universität Nagoya. Eerste Arbeiten in den Beriek vun de Optoelektronik un Lüchtdioden hett he in de laat 1960er un 1970er Johren maakt, ünner annern bi Firmen as Matsushita, wo he de metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) to dat Herstellen vun Kristallen ut Galliumnitrid bruuken dee.Isamu Akasaki1 and Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 9001-9010, 1981 un in de Folgejohren, nu weer an de Universität Nagoya, hett he de MOVPE to dat Herstellen vun hoochrein Eenkristalle ut Galliumnitrid (GaN) up en Saphir as Substrat insett. Disse hoochrein GaN kunn he in de Folg mit Magnesium p-doteeeren, to de n-Doteeren keem Silicium to'n Insatz, so dat he in de Summ en p-n-Övergang mit GaN herstellen kunn, de as direkt Halfleiter en Bandlücke in den blau-grönen Farvberiek upwiest. Dormit gelung hüm 1989 de Herstellen vun de eerste effiziente Lüchtdiode.Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355 Vörher geev dat blots blau LEDs, de up den indirekten Halfleiter Siliciumcarbid footen deen. Disse LEDs keemen all in de 1970er Johren up den Markt, kunnen sück aber wegen hör minn Effizienz nie dörsetten.
Utteknungen (Utwahl) 2002 Outstanding Achievement Award (engelsch för Gyōseki-shō) vun de Japan Society of Applied Physics (JSAP) (Ōyō Butsuri Gakkai) 2002 Orden vun de Upgahn Sünn, japaansch Utteknung för butergewöhnliche Verdeensten in' zivilen oder militärischen Beriek 2009 Kyoto-Pries, in den Beriek Optoelektronik 2011 IEEE Edison Medal 2014 Nobelpries för Physik
Enkeld Nahwiesen
Kategorie:Mann Kategorie:Börger von Japan Kategorie:Nobelpriesdräger (Physik) Kategorie:Boren 1929 Kategorie:Storven 2021