Elisabeth Bauser (geboren 19. April 1934 als Elisabeth Grobe in Stuttgart; gestorben 29. September 1996) war eine deutsche Physikerin und Kristallforscherin. Sie war als Züchterin extrem reiner Halbleiterkristalle international angesehen. Die von ihr erstellten Galliumarsenid- und Siliciumschichten ermöglichten es Forschern, die schärfsten Spektren und höchsten Beweglichkeiten in den Schichten darzustellen.
Leben Elisabeth Grobes Eltern waren der Fachschuloberlehrer Rudolf Grobe und seine Ehefrau Emma Grobe geb. Sommer. Elisabeth Grobe besuchte die Goethe-Oberschule in Ludwigsburg und machte 1954 ihr Abitur. Von 1954 bis 1962 studierte sie Physik an der Technischen Hochschule Stuttgart (Diplom 1962).
Von 1962 bis 1966 arbeitete Elisabeth Grobe als wissenschaftliche Mitarbeiterin am Institut für Theoretische und Angewandte Physik der Technischen Hochschule Stuttgart. In dieser Zeit erforschte sie das Stromrauschen an Silizium-Einkristallen. Über dieses Thema wurde sie 1968 am Lehrstuhl von Hermann Haken promoviert. Ihr Doktorvater war Karl Seiler.
Von September 1966 bis 1971 arbeitete sie am Forschungsinstitut des Fernmelde-technischen Zentralamtes der Deutschen Bundespost in Darmstadt, wo sie ihr spezielles Fachgebiet entwickelte, die Flüssigphasenepitaxie von Halbleitern. 1971 stellte sie das Max-Planck-Institut für Festkörperforschung in Stuttgart an, um im Auftrag des Wissenschaftsrats die Grundlagen und Anwendung der Kristallzüchtung zu erforschen.
In den 1970er und 1980er Jahren arbeitete die Forschung daran, hocheffiziente Dünnschichtzellen herzustellen. Dafür wurde ein Herstellverfahren benötigt, mit dem dünne Siliziumschichten hoher elektronischer Qualität ohne jegliche Volumendefekte erzeugt werden konnten. Elisabeth Bauser war bei der Züchtung von Halbleiterkristallen außergewöhnlich erfolgreich. Sie verwendete die Flüssigphasenepitaxie. Sie ließ Kristallschichten aus einer langsam abkühlenden Lösung abscheiden, so dass die Kristalle nahe am thermodynamischen Gleichgewicht wachsen, das heißt bei geringer Übersättigung und relativ niedrigen Temperaturen. Die von Bauser und ihrer Arbeitsgruppe erzeugten Materialien eigneten sich nicht nur für Solarzellen, sondern auch für die Herstellung von dreidimensionalen Transistorstrukturen. 1986 zeichnete IBM Europe Bauser mit einem Wissenschaftspreis aus, womit ihre wesentlichen Beiträge zum Fortschritt der Materialwissenschaften gewürdigt wurden.
Elisabeth Bauser starb am 29. September 1996 nach schwerer Krankheit.
Veröffentlichungen
Ehrungen mini|Elisabeth-Bauser-Weg in Stuttgart-Büsnau 1986 Preis der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung für ihre Arbeiten auf dem Gebiet des Kristallwachstums und ihre Beiträge zur Aufklärung der Wachstumsmechanismen von Halbleiterschichten bei der Flüssigphasenepitaxie, dotiert mit 3000 DM 1986 Preis für Wissenschaft und Technologie der IBM Europe, dotiert mit 100.000 Ecu, gemeinsam mit Manijeh Razeghi vom Laboratoire Central de Recherches Thomson-CSF-France Paris und Bruce A. Joyce vom Philips Research Laboratories Redhill, Surrey 1997 wurde der Elisabeth-Bauser-Weg in der Nähe des Max-Planck-Instituts für Festkörperforschung in Stuttgart-Büsnau nach ihr benannt.
Literatur
Einzelnachweise
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