HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierten Schaltkreisen hoher Packungsdichte mit NMOS-Logik Anwendung. Zuvor waren Strukturgrößen von 6 µm bis 10 µm etabliert. Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen HCMOS, PMOS und den heute überwiegend eingesetzten CMOS bekannt.vgl.
+ HMOS-Generationen (Quelle: ) Generation Einführung Kanallänge Gatterverzögerung HMOS I 1976 ≈ 3 µm 100 ns HMOS II 1979 ≈ 2 µm 30 ns HMOS III 1982 ≈ 1,5 µm 10 ns
Literatur
Einzelnachweise
Kategorie:Mikroelektronik Kategorie:Abkürzung