Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei n-Dotierung sind Elektronen die Majoritätsladungsträger, bei p-Dotierung sind es Defektelektronen (auch Löcher genannt).
Je nach Halbleitermaterial und Dotierungselement kann es vorkommen, dass bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren bzw. Akzeptoren ionisiert sind (Störstellenerschöpfung):
bzw.
mit den Anzahlen der ionisierten bzw. aller (ionisierten und neutralen) Donator-Atome der ionisierten bzw. aller (ionisierten und neutralen) Akzeptor-Atome.
Dies führt im Fall einer Einfach-Dotierung (nur eine Dotierungsart vorhanden) deutlich größer der Eigenleitungsdichte des Halbleiters ( bzw. ) zu: einer Majoritätsladungsträger-Konzentration (der Elektronen) im n-Gebiet:
einer Majoritätsladungsträger-Konzentration (der Defektelektronen) im p-Gebiet:
Literatur
Einzelnachweise
Kategorie:Halbleiterbauelement
en:Charge carrier#Majority and minority carriers