350px|mini|alt=SLC, DLC, TLC, QLC, PLC mit ihren jeweiligen Speichermöglichkeiten der Bitfolge pro jeweiliger Zelle nach Zelltyp|Die verschiedenen Speicherzellen im Vergleich TLC-Speicherzellen (TLC kurz für ) sind Speicherzellen der Bauart NAND-Flash, die 3 Bits (im Englischen in diesem Zusammenhang als bezeichnet) pro Speicherzelle speichern können.
TLC-Speicherzellen gehören streng genommen zur Gruppe der MLC-Speicherzellen (MLC kurz für , mehr als 1 Bit pro Zelle). In den meisten Publikationen, in denen die neuen TLC-Speicher mit SLC- und vorhandenem MLC-Speicher verglichen werden, wird jedoch die MLC-Speicherzelle grundsätzlich als 2-Bit-Speicherzelle (auch 2-Bit-MLC-Speicherzelle genannt) angenommen.
Das Speichern von mehr als zwei Zuständen in der Zelle wird erreicht, indem beim Schreiben und Auslesen des Floating-Gate-Transistors 8 (statt nur 2 oder 4) verschiedene Ladungsniveaus des Floating-Gates unterschieden werden. Dadurch ist es möglich, mehr Daten auf die gleiche Anzahl von Speicherzellen unterzubringen, wodurch TLC-Chips im Vergleich zu SLC- und 2-Bit-MLC-Chips mit weniger Siliziumfläche oder höherer Kapazität gebaut werden kann. Allerdings wird das exakte Aufbringen und zuverlässige (analoge) Auslesen der Ladung sowie das Testen aufwändiger. Mit zunehmender Bit-Dichte auf Speicherzellen erhöht sich jedoch gleichzeitig die Gefahr des Ausfalls einer Zelle aufgrund steigender Bitfehlerrate (engl. , BER). Zudem sind Verfahren wie die Fehlerkorrektur erheblich schwieriger umzusetzen als bei SLC- oder 2-Bit-MLC-Speicherzellen. Dadurch ist die Lebensdauer von TLC-Speicherzellen im Vergleich zu SLC- und 2-Bit-MLC-Zellen deutlich geringer.
Einzelnachweise
Kategorie:Halbleiterspeichertechnik
en:Triple-level cell