mini|Robert H. Dennard (vor 2010)
Robert Heath Dennard (* 5. September 1932 in Terrell, Texas; † 23. April 2024 in Croton-on-Hudson, New Yorkhttps://www.legacy.com/obituaries/name/robert-dennard-obituary?pid=206864297) war ein US-amerikanischer Elektroingenieur und Erfinder. Er gilt als Erfinder des elektronischen Speicherbausteins DRAM.
Leben und Werk Dennard studierte Elektrotechnik an der Southern Methodist University in Dallas. Dort erhielt 1954 einen B.S.- und 1956 einen M.S.-Abschluss in Elektrotechnik. Danach ging er an das Carnegie Institute of Technology in Pittsburgh, Pennsylvania, wo er 1958 promovierte (Ph.D.). Anschließend nahm er eine Stelle in der Forschungsabteilung bei International Business Machines (IBM) an.
Bei IBM beschäftigte er sich mit der Erforschung neuer Bauelemente und Schaltungen für Logik- und Speicheranwendungen. Zu seinen wichtigsten Beiträgen in diesem Bereich zählt die Erfindung des dynamischen RAMs (DRAM, ) im Jahr 1966. Die DRAM-Technik war ein großer technologischer Sprung für die elektronische Informationsspeicherung und -verarbeitung. Sie ist bis heute (2010) eine der wichtigsten Komponenten im Computer. Darüber hinaus war er einer der ersten Wissenschaftler, die das enorme Potenzial der Verkleinerung von MOSFETs erkannten. Zusammen mit Kollegen formulierte er 1974 eine „Skalierungs-Theorie“R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, H. N. Yu, V. L. Rideout, E. Bassous, A. R. Leblanc: Design of ion-implanted MOSFETs with very small physical dimensions. In: IEEE Journal of Solid State Circuits. SC-9, Nr. 5, 1974, S. 256–268 (PDF, abgerufen am 1. Mai 2010).The Impact of Dennard's Scaling Theory. In: IEEE solid-state circuits society news. Band 12, Nr. 1, 2007 (Das ganze Heft beschäftigt sich mehr oder weniger mit dem Thema, PDF, abgerufen am 1. Mai 2010). für MOSFET – eine Feldeffekttransistor-Variante. Diese steht in engem Zusammenhang mit dem mooreschen Gesetz und der Entwicklung der Mikroelektronik in den letzten Jahrzehnten.
Auszeichnungen und Ehrungen Im Laufe seines Lebens erhielt Dennard eine Vielzahl von Auszeichnungen und Ehrungen. Zu den wichtigsten gehören: 1984: Mitglied der National Academy of Engineering 1988: National Medal of Technology, überreicht vom damaligen US-Präsidenten Ronald Reagan für seine Arbeit an der dynamischen Speicherzelle (DRAM) mit nur einem Transistor. 1990: Harvey Prize vom Technion Institute in Israel 1997: National Inventors Hall of Fame 1997: Mitglied der American Philosophical Society 2001: IEEE Edison Medal2009 – Robert N. Dennard. IEEE Medal of Honor Recipients, abgerufen am 1. Mai 2010. 2007: Benjamin Franklin Medal im Bereich Elektrotechnik. Franklin Laureate Database, 2007, abgerufen am 1. Mai 2010. 2009: IEEE Medal of Honor 2009: Charles Stark Draper Prize der National Academy of Engineering 2013: Kyoto-Preis 2017: NAS Award for the Industrial Application of Science
Weblinks
Einzelnachweise
Kategorie:Persönlichkeit der Elektrotechnik Kategorie:Erfinder Kategorie:Kyoto-Preisträger Kategorie:Mitglied der National Inventors Hall of Fame Kategorie:Mitglied der National Academy of Engineering Kategorie:Mitglied der American Philosophical Society Kategorie:IEEE Fellow Kategorie:IBM Fellow Kategorie:US-Amerikaner Kategorie:Geboren 1932 Kategorie:Gestorben 2024 Kategorie:Mann