Galliumnitried is 'n verbinding van gallium en stikstof met formule .
Dit is 'n halfgeleier met 'n bandgaping van 3,4 eV.
Kristalstruktuur Galliumnitried kan in die kubiese wurtziet-struktuur kristalliseer (B4 in die strukturbericht-klassifikasie of die kubiese sfaleriet-struktuur (B3).
Gebruike Galliumnitried se wyer bandgaping beteken dat dit hoër spannings en hoër temperature as silikon-MOSFET's kan ondersteun. Hierdie wye bandgaping stel galliumnitried in staat om op opto-elektroniese hoëkrag- en hoëfrekwensietoestelle gebruik te word. Die vermoë om teen baie hoër temperature en spannings te werk as galliumarsenied (GaAs) transistors maak galliumnitriedtoestelle ideale drywingsversterkers vir mikrogolf- en terahertz (ThZ)-toestelle, soos vir beeldvorming. Verwysings
Kategorie:Anorganiese verbindings Kategorie:Verbindings van gallium